特許

J-GLOBAL ID：200903092294211630

表面処理方法および表面処理装置

発明者： 小藤 直行 ,  新井 眞 ,  辻本 和典 ,  水谷 巽 ,  鈴木 敬三 ,  水石 賢一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-293688
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139077
出願日： 1994年11月04日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】 電子シェーディング現象に起因するノッチやチャージアップダメージ、サブトレンチ、ボーイング等の発生を抑制する。【構成】 バイアスとしてデューティー比5 %以下、繰り返し周波数400KHz以上のパルス電圧を印加する。【効果】 基板バイアスに電子を加速するサイクルが生じ、電子シェーディング現象が起こらなくなる。これによって、電子シェーディング現象に起因する諸問題が解消される。

請求項（抜粋）：

減圧処理室内に載置した被処理物にプラズマを供給すると共に前記被処理物にバイアス電圧を印加することにより被処理物を処理する表面処理方法において、前記バイアス電圧として、パルス波形の正電圧を印加し、かつ、前記表面処理中の前記被処理物の電位の最大値が前記プラズマの電位より大きくなるように前記パルス波形のデューティー比および繰り返し周波数を設定することを特徴とする表面処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  C23C 16/50

FI (2件)：

H01L 21/302 A ,  H01L 21/302 J