半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-338401
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201983
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】下層導電層と上層導電層とを接続する接続孔内の埋め込み部の構造を簡単にできるとともに、導電層の信頼性の向上を図ることができる半導体装置を提供する。【構成】下層配線13と上層配線14とが接続孔17内に埋め込まれたプラグにより電気的に接続されている半導体装置において、上層配線14に対して拡散防止効果を有する導電性物質により、プラグ19が形成されているとともに、上層配線14の外面を覆うバリア層16が形成されている。接続孔17内には例えばTiNのような導電性物質を埋め込めばよく、この部分の構造が簡単になる。また、この導電性物質が拡散防止効果を有していいる場合、バリア層16により上層導電層14に用いられる材料の拡散を防止できる。

請求項（抜粋）：

下層導電層と上層導電層とが接続孔内に埋め込まれたプラグにより電気的に接続されている半導体装置において、前記上層導電層に対して拡散防止効果を有する導電性物質により、前記プラグと、この上層導電層の外面を覆うバリア層とが形成されていることを特徴とする半導体装置。

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