特許
J-GLOBAL ID:200903092296439735
埋め込み配線構造の形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
前田 実
, 山形 洋一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-271803
公開番号(公開出願番号):特開2005-033050
出願日: 2003年07月08日
公開日(公表日): 2005年02月03日
要約:
【課題】 研磨圧力を低下させても比較的高いスループットを実現できる埋め込み配線構造の形成方法を提供する。【解決手段】 埋め込み配線構造の形成に際しては、半導体基板100上の絶縁層101に形成された溝102を埋め尽くすように、絶縁層101上にCu層105を形成し、Cu層105表面の酸化により生成された酸化層106を除去し、Cu層105上に酸化層106よりも機械的に脆弱な材料からなるキャップ層107を形成し、CMP法を用いて、溝102内にCu層105を残すように、キャップ層107、及び、Cu層105の一部を除去する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体基板上の絶縁層に形成された溝を埋め尽くすように、前記絶縁層上にCuを主成分とする導電層を形成する工程と、
前記導電層表面の酸化により生成された酸化層を除去する工程と、
前記導電層上に前記酸化層よりも機械的に脆弱な材料からなるキャップ層を形成する工程と、
化学的機械研磨法を用いて、前記溝内に前記導電層を残すように、前記キャップ層、及び、前記導電層の一部を除去する工程と
を有することを特徴とする埋め込み配線構造の形成方法。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L21/88 K
, H01L21/304 622X
, H01L21/88 B
Fターム (30件):
5F033HH11
, 5F033HH12
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033LL08
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033PP15
, 5F033PP22
, 5F033PP23
, 5F033PP24
, 5F033PP27
, 5F033PP33
, 5F033QQ09
, 5F033QQ12
, 5F033QQ13
, 5F033QQ14
, 5F033QQ48
, 5F033QQ49
, 5F033QQ73
, 5F033QQ90
, 5F033QQ94
, 5F033RR04
, 5F033SS11
, 5F033WW03
, 5F033XX00
, 5F033XX01
, 5F033XX03
, 5F033XX20
, 5F033XX24
引用特許:
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