埋込み精製チャンバを使用する結晶形成装置と結晶成長工程

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：丹羽宏之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-242819
公開番号（公開出願番号）：特開2001-072486
出願日： 2000年08月10日
公開日（公表日）： 2001年03月21日
要約：

【要約】【課題】結晶は回路基板として半導体、写真平板などで使用され、その精製、不純物添加、成長には絶えざる改良が必要である。【解決手段】結晶成長加熱炉内に埋設されたグロワーと精製ステーションは断面が円形、長円形、長方形あるいは多角形の調製チャンバを持ち側方と基部ヒータが接続され多孔ディストリビュータは基部ヒータ上部に取付けられチャンバの底部の開口部は結晶材料をるつぼに放出する。上蓋は密封チャンバを形成する。結晶材料供給、ドーパント供給、減圧排出ラインがチャンバに接続される。精製物体供給はチャンバに接続され外部ヒータがチャンバを囲み絶縁体は外部ヒータを囲み外囲いがこの絶縁体を囲みガス源と真空ラインは外囲いに接続される。チャンバの下部で外囲い内に取付けられたグロワーはチャンバからの結晶材料を受けグロワー内のるつぼは結晶材料を受け溶融結晶材料と成形結晶を保持する。

請求項（抜粋）：

側面ヒータと基部ヒータを持つ調製ステーションよりなる結晶形成装置であって、基部ヒータと側面ヒータが材料調製チャンバ内で埋設取付けのために接続されていることを特徴とする結晶形成装置。

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