特許
J-GLOBAL ID：200903092310293110
シリコンウェーハの鏡面加工法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-147699
公開番号（公開出願番号）：特開平5-337816
出願日： 1992年06月08日
公開日（公表日）： 1993年12月21日
要約：
【要約】【目的】 Siウェーハを鏡面加工する場合に表面のあらさの品位がデバイス特性に影響を与えることがわかっている。本発明はあらさをRaで0.1nm以下に鏡面加工することが目的である。【構成】 従来砥粒径は10〜40nmと広い分布のものが用いられてきた。本発明では35〜45nmとすることにより、均一な砥粒径のものでかつ従来の粒度分布の上限側を用いることによりRaで0.1nm以下を達成した。
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハを鏡面加工することにおいて、加工液中の砥粒の粒度分布を35〜45nmに規定することを特徴とするシリコンウェーハの鏡面加工法。
IPC (2件)：
B24B 37/00
, H01L 21/304 321
