特許
J-GLOBAL ID：200903092313291364
半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-342155
公開番号（公開出願番号）：特開平6-111592
出願日： 1991年11月28日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 X型セル,フラット型セル構造の半導体記憶装置において、メモリセル間の干渉を排除し高速化を達成する。【構成】 横方向のメモリセルのつながりを分離領域において区切ったアレイ構造を実現する。そしてその分離を、メモリセルトランジスタMijにコア注入を行なって分離用トランジスタSijに変化させることにより行なう。【効果】 メモリセルの横方向のつながりが分離領域で分断されるため、セル間の干渉を排除でき、集積度を殆んど劣化せずに高速アクセスが可能となる。
請求項（抜粋）：
横方向にメモリ素子がつながった構造を有する半導体記憶装置において、メモリ領域を複数のブロックに分割し、かつブロック同士を分離する分離領域を所定間隔で設けてなることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 304 B
, H01L 27/10 434
