特許

J-GLOBAL ID：200903092315963327

成膜方法

発明者： 新納 礼二 ,  大部 智行 ,  池川 寛晄
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン東北株式会社
代理人 (1件)： 小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-189395
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086264
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 被処理体に対して酸化処理及び窒化処理を連続的且つ短時間で行なうことができ、しかも絶縁耐性等の電気的特性に優れた酸化膜を被処理体に形成することができる成膜方法を提供する。【構成】 本成膜方法では、外部ヒータ(抵抗発熱体21)により加熱して所定の850°Cまで昇温させた反応容器30内へ水蒸気を供給し、反応容器30内で熱処理ポート40により保持された25枚の半導体ウエハWの表面を酸化処理用ガスにより酸化させてシリコン酸化膜を形成した後、アンモニアガスで置換すると共に抵抗発熱体21により反応容器30内を900°Cまで加熱してシリコン酸化膜を窒化処理してゲート酸化膜を成膜するようにした。

請求項（抜粋）：

外部ヒータにより加熱して所定の反応温度まで昇温させた反応容器内へ所定の酸化用ガスを供給し、上記反応容器内で保持具により保持された複数の被処理体の表面を酸化処理用ガスにより酸化させて酸化膜を形成した後、窒化処理用ガスで置換すると共に上記外部ヒータにより上記反応容器内を所定温度まで加熱して上記酸化膜を窒化処理することを特徴とする成膜方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭54-163679
  
• 特開平3-257828
  
• 特開平1-071118