特許

J-GLOBAL ID：200903092316253668

半導体装置のトレンチ隔離形成方法

発明者： 南 信祐 ,  徐 俊 ,  崔 昶源 ,  洪 瑛基
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-172619
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031261
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 トレンチ形成時に生じるライナくぼみの発生を最小化したり防止できる半導体装置のトレンチ隔離形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板100がエッチングされてトレンチが形成された後、トレンチ形成時に発生した表面損傷を除去するためにトレンチの両側壁及び下部面に熱酸化膜108が形成され、第1絶縁膜の両側壁と熱酸化膜上にトレンチライナ110が形成される。そして、トレンチライナ上に第3絶縁膜112が形成された後、第1絶縁膜の表面が露出するまで第2絶縁膜とトレンチライナ110が平坦にエッチングされ、第1絶縁膜とトレンチライナ110が乾式エッチングで除去される。このような半導体装置のトレンチ隔離形成方法は、トレンチ形成用マスクとトレンチライナ110間のエッチング率の差が起こらない乾式エッチングをすることにより、ライナくぼみを防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1絶縁膜をエッチングしてトレンチ形成領域を定義するマスクパターンを形成する段階と、前記マスクパターンをマスクとして用いて前記半導体基板をエッチングしてトレンチを形成する段階と、前記トレンチ形成時に生じた表面損傷を除去するために前記トレンチの両側壁及び下部面に熱酸化膜を形成する段階と、前記第1絶縁膜の側壁と前記熱酸化膜上にトレンチライナを形成する段階と、前記トレンチライナ上に第2絶縁膜を形成する段階と、前記第1絶縁膜の表面が露出するまで前記第2絶縁膜及びトレンチライナを平坦にエッチングする段階と、前記半導体基板の表面が露出するまで前記第1絶縁膜及びトレンチライナを乾式エッチングで除去する段階と、を含むことを特徴とする半導体装置のトレンチ隔離形成方法。