特許
J-GLOBAL ID：200903092317089489
液晶用マトリクス基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-290731
公開番号（公開出願番号）：特開2002-098995
出願日： 2000年09月25日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：
【要約】【課題】 高開口率の液晶表示装置を、少ないフォトマスクを使用して製造する。【解決手段】 TFTアクティブマトリクス基板としての主要部分を形成した後に、表面に感光性アクリル系樹脂膜10を塗布して平坦化する。フォトマスク層11を塗布し、ハーフトーン露光を利用し、コンタクトホール位置11bで感光性アクリル系樹脂膜10が露出するように現像し、第1のレジストパターンを得て、感光性アクリル系樹脂膜10をパターニングし、コンタクトホールをドレイン電極まで貫通させる。第1のレジストパターンをアッシングすると、(p)に示すように、コンタクトホール位置11bの周囲でもホトレジスト層11が除去される。(q)に示すように、全面に透明導電体層12を形成する。ホトレジスト層11を除去すると、リフトオフで余分な透明導電体層12も除去され、画素電極12aを形成することができる。
請求項（抜粋）：
複数の液晶セルを形成するためのマトリクス回路が電気絶縁性基板上に形成される液晶用マトリクス基板の製造方法において、電気絶縁性基板上に、電気絶縁性合成樹脂材料を塗布して、表面が平坦な電気絶縁膜を形成し、該電気絶縁膜の表面に、フォトレジスト層を形成し、該フォトレジスト層を、予め定められる画素電極形成領域を除いて硬化し、該画素電極領域の予め定めるコンタクトホール位置で未硬化となり、該コンタクトホール位置を除く該画素電極領域で部分的に硬化するように、露光量を調整したマスクでハーフトーン露光し、該フォトレジスト層を現像して、該コンタクトホール位置で該フォトレジスト層が除去され、該画素電極形成領域での層厚が他の部分よりも薄くなっている第1のレジストパターンを形成し、該第1のレジストパターンをマスクに用いて、該電気絶縁膜のコンタクトホール位置に、マトリクス回路に達する貫通孔を形成するパターニングを行い、該第1のレジストパターンの層厚を全体的に減少させて、該画素電極形成領域からフォトレジスト層を除去して第2のレジストパターンを形成し、該電気絶縁膜の平坦な表面に、該第2のレジストパターンが形成されている状態で、該電気絶縁膜の全表面を覆うように透明導電材による被膜を形成し、該第2のレジストパターンを除去することによって、該第2のレジストパターン上に形成されている透明導電材被膜もリフトオフによって除去し、該電気絶縁膜の平坦な表面に残留する透明導電材被膜によって画素電極を形成することを特徴とする液晶用マトリクス基板の製造方法。
IPC (2件)：
G02F 1/1368
, G02F 1/1343
G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
2H092JA24
, 2H092JA28
, 2H092JA34
, 2H092JA37
, 2H092JA41
, 2H092JA45
, 2H092JA47
, 2H092KB22
, 2H092KB24
, 2H092MA04
, 2H092MA05
, 2H092MA10
, 2H092MA13
, 2H092MA17
, 2H092NA07
, 2H092NA27
