メッキ配線の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-121778
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315321
出願日： 1992年05月14日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】この発明は、特に選択メッキによって配線を形成する場合の、電解メッキに際して電圧が印加される給電電極の除去が効果的に行われるように改善したメッキ配線の製造方法を提供することを目的とする。【構成】基板11上に下層電極12および保護膜13を形成する。この下層電極12部を含む保護膜13上に下層レジスト膜14を形成するもので、この下層レジスト膜14に下層電極12に至る開口141 を形成する。この下層レジスト膜14上には、開口141およびその周囲の段差142 部を含んで給電電極15を蒸着形成すると共に、この給電電極15上に上層レジスト膜16を形成し、この上層レジスト膜16に開口142 に対応し、その段差142 が露出されないようにして開口17を形成する。この開口17部に電解メッキによって配線18を形成し、その後段差142 部の給電電極15の層を含みリフトオフによりこの給電電極15を除去する。

請求項（抜粋）：

基板上に配線形成部が露出されるような開口が形成された下層レジスト膜を形成する第1のレジスト膜形成工程と、前記下層レジスト膜の表面に、前記開口周囲の段差部分を含み方向性の強い成膜手段で給電電極層を形成する電極層形成工程と、前記給電電極層の上に上層レジスト膜を形成する第2のレジスト膜形成工程と、前記上層レジスト膜に、前記下層レジスト膜の開口に対応した前記給電電極層を露出し、前記開口の周囲段差部に形成された給電電極層が露出されないようにしてメッキ層形成パターンを開口形成する配線パターン形成工程と、前記配線パターンに対応して露出された給電電極に電解メッキ電圧を印加設定し、前記配線パターンに対応する開口内に電解メッキにより配線層を形成するメッキ配線層形成工程と、前記配線層に対応する部分を除く部分の前記給電電極層を除去するリフトオフ工程と、を具備したことを特徴とするメッキ配線の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , C25D 5/02 , H01L 21/288

引用特許：

審査官引用 (33件)

特開平4-026127
特開平4-026127
特開平2-187023

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