特許
J-GLOBAL ID:200903092323540702
ウエハステ-ジおよびウエハ処理装置
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-011473
公開番号(公開出願番号):特開2000-216140
出願日: 1999年01月20日
公開日(公表日): 2000年08月04日
要約:
【要約】【課題】処理中のウエハの温度分布を任意に応答性よく制御するウエハステージを提供する。【解決手段】処理中のウエハ9を積載するウエハステージ8内部に独立した複数個の冷媒用の流路を設け、これら独立した流路毎に冷媒の流量を調節可能なバルブを介して配管を接続し、バルブの開度を調節し冷媒の流量を調節することにより達成することができる。【効果】処理中のウエハの温度分布制御を冷媒の排出側の配管に接続したバルブの開度調整のみでおこなうことができるので、非常に応答性よくまた低コストで温度制御することができる。
請求項(抜粋):
半導体ウエハを積載し、該半導体ウエハに処理を施すウエハステージにおいて、前記ウエハステージ内部には独立した複数個の冷媒用の流路を設け、該複数個の流路毎には冷媒を導入するための導入配管と冷媒を排出するための排出配管を設け、該導入配管と排出配管のいずれか一方またはその両方には開度調節により冷媒の流量を制御可能なバルブを介して前記冷媒の温度制御用の温調機に接続し、前記バルブの開度を調節する事により前記冷媒の流量を調節することにより処理中のウエハの温度制御を行うことを特徴とするウエハステージ。
IPC (4件):
H01L 21/3065
, B23Q 3/15
, G05D 23/00
, H01L 21/68
FI (4件):
H01L 21/302 B
, B23Q 3/15 D
, G05D 23/00 D
, H01L 21/68 N
Fターム (41件):
3C016GA10
, 5F004AA01
, 5F004BA14
, 5F004BA15
, 5F004BB11
, 5F004BB18
, 5F004BB21
, 5F004BB22
, 5F004BB23
, 5F004BB25
, 5F004BC08
, 5F004CA06
, 5F031CA02
, 5F031HA16
, 5F031HA24
, 5F031HA38
, 5F031HA39
, 5F031JA46
, 5F031JA51
, 5F031MA28
, 5F031MA32
, 5F031NA04
, 5F031PA26
, 5H323AA40
, 5H323BB01
, 5H323BB04
, 5H323BB20
, 5H323CA06
, 5H323CB23
, 5H323CB25
, 5H323CB33
, 5H323CB35
, 5H323CB43
, 5H323DA04
, 5H323DB15
, 5H323EE01
, 5H323FF01
, 5H323FF10
, 5H323GG16
, 5H323KK05
, 5H323MM06
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