特許

J-GLOBAL ID：200903092332365735

電子放出装置及び画像形成装置

発明者： 塚本 健夫 ,  笹栗 大助 ,  松谷 茂樹
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 世良 和信 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-046829
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311587
出願日： 2000年02月18日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】 電子放出効率の向上と電子軌道の集束を同時に実現し得る電子放出装置及び画像形成装置を提供する。【解決手段】 電子放出素子は、概略、基板1上に低電位側電極2,絶縁層3,高電位側電極4が積層され、高電位側電極4は両側を絶縁層3を介して低電位側電極2に挟まれている。高電位側電極4及び絶縁層3の側面には、それぞれ高電位側電極4及び低電位側電極2に接続された導電性膜7A及び7Bが間隙6を隔てて対向形成されている。基板1に対向して上方にアノード電極が設けられ、低電位側電極2・高電位側電極4間にVf,低電位側電極2・アノード電極間にVaの電圧を印加し、素子とアノード電極との距離をH, Xs=H*Vf/(π*Va)とした場合に、高電位側電極4の幅WがXsの0.5倍以上15倍以下である。

請求項（抜粋）：

対向する第1の主面と第2の主面とを有する基板と、互いに間隔を置いて、前記第1の主面上に配置された、第1の電位が印加される第1電極と第2の電位が印加される第2電極とを有する電子放出素子と、前記第1の主面に対向し、前記第1の主面から距離Hを置いて配置されたアノード電極と、前記第1の電位に対してVfだけ高い第2の電位を、前記第2電極に印加する第1電圧印加手段と、前記第1の電位に対して前記Vfよりも大きいVaだけ高い電位を、前記アノード電極に印加する第2電圧印加手段と、を備えた電子放出装置であって、前記アノード電極と前記電子放出素子との間の空間は減圧状態に維持されており、前記第1の主面に対して実質的に垂直な平面において、Xs=H*Vf/(π*Va)とした時に、前記第1の主面に実質的に平行な方向における、前記第2の電極の幅Wが、前記Xsの0.5倍以上15倍以下であることを特徴とする電子放出装置。

IPC (3件)：

H01J 1/316 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (3件)：

H01J 1/30 E ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C