特許
J-GLOBAL ID:200903092337638462
ジルコニウム系無機高分子を使用した選択的モリブデン吸着剤を利用する中性子照射天然モリブデン型テクネチウム99mジェネレータシステム及びその製造装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
北條 和由
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-317298
公開番号(公開出願番号):特開2004-150977
出願日: 2002年10月31日
公開日(公表日): 2004年05月27日
要約:
【課題】多量の放射性廃棄物を発生しないTc99mの製造プロセスを提供する。【解決手段】Moの天然同位体組成の酸化モリブデンMoO3を中性子照射した後、水酸化ナトリウムに溶解し、ポリ塩化ジルコニウム(PZC)と反応させて生成するMo99を含むMo吸着PZCを充填したTc99mの溶離用カラムから構成されるMo99-Tc99mジェネレータシステム。そのTc99mジェネレータ用カラムを製造するため、PZCを一定量分取し反応容器に入れる機構、一定量のPZCが複数入りしかもMo99を含むMo溶液を一定量入れ加温反応できる機構、Moを吸着したPZCを洗浄しながらガラス製のフィルタ付きジェネレータカラムへ充填するための減圧吸引機構、以上の操作が複数回繰り返し行える機構が付いたMo99-Tc99mジェネレータシステムのための製造装置。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
モリブデン(以下「Mo」と記す)を含む水溶液からMoのみを吸着するジルコニウム、酸素、塩素の繰り返し単位から構成されるジルコニウム系無機高分子(以下「PZC」と記す)を、放射性同位元素であるMo99から生成するテクネチウム(以下「Tc」と記す)99mを溶離することができるMo吸着担持体として用いることを特徴とするMo99-Tc99mジェネレータシステム。
IPC (3件):
G21G4/08
, B01D15/00
, B01J20/02
FI (3件):
G21G4/08 T
, B01D15/00 N
, B01J20/02 B
Fターム (11件):
4D017AA13
, 4D017BA13
, 4D017CA01
, 4D017DA01
, 4G066AA05B
, 4G066AA20B
, 4G066AA23B
, 4G066AA32B
, 4G066BA36
, 4G066CA46
, 4G066DA07
引用特許: