特許

J-GLOBAL ID：200903092340325190

GaAsやGaNに基づく半導体基体上に酸化物層を含む物品

発明者： ミングウェイ ホン ,  アーメット レフィック コアタン ,  ジュエイナイ レイニエン クオ ,  ジョセフ パータス マナーツ
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-321934
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150503
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 GaAsに基づく半導体及びGaNに基づく半導体基体上にキャパシタンスが高く、かつ漏れ電流の小さい酸化物層を有する物品を提供する。【解決手段】 我々は厚さが5nm以下の単結晶、単一ドメインの酸化物層がGaAsに基づく半導体基板の(100)面上に成長できることを発見した。類似したエピタキシャル酸化物がGaN及びGaNに基づく半導体上に成長できる。酸化物とは、典型的にはMn2O3構造(例えばGd2O3)の希土類酸化物である。酸化物/半導体界面は低い界面状態密度で高品質で、酸化物層は低い漏れ電流かつ高いブレークダウン電圧である。酸化物層が薄くかつ誘電率が高いので単位領域当たりのキャパシタンスが高いMOS構造となる。このような構造によって有利なGaAsに基づくMOS-FETが形成される。

請求項（抜粋）：

配向した平面単結晶半導体基板、および前記半導体基板上に酸化物層を含む物品であって、a)前記半導体が、GaAsに基づく半導体およびGaNに基づく半導体からなる一群から選択され、b)前記酸化物層が、Mn2O3形の立方体結晶構造を有し、かつXはYおよび希土類元素からなる一群から選択されたX2O3の組成を有する酸化物からなる一群から選択され、およびc)前記酸化物層が、前記単結晶半導体基板にエピタキシャル成長され、かつ5nmより薄い厚さの単結晶、単一ドメインの酸化物層である、ことを特徴とする物品。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭61-274328