特許
J-GLOBAL ID：200903092348284220
炭化珪素半導体装置の製造方法、及びその製造方法によって製造される炭化珪素半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
三好 秀和
, 三好 保男
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 栗原 彰
, 川又 澄雄
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-192362
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039744
出願日： 2002年07月01日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】しきい値電圧の変動を防止し、かつパンチスルー現象を防止し、またアバランシェ耐量が大きく、製造工程が簡単でチャネル抵抗の小さい炭化珪素半導体装置の製造方法およびその製造方法によって製造される炭化珪素半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】テーパエッチングによりパターン側壁に傾斜が形成されたマスク材200を介して、SiC基板100の法線を軸としてSiC基板100を回転させながら、SiC基板100の法線方向に対して傾斜させて不純物をイオン注入し、低濃度ベース領域104ならびに高濃度ベース領域110を形成して構成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素半導体基板に形成されたドレイン領域と、低濃度ベース領域ならびに高濃度ベース領域からなるベース領域と、前記ベース領域中に形成されたソース領域と、前記ベース領域ならびに前記ソース領域上に形成されたゲート電極と、前記低濃度ベース領域中に形成されたチャネル領域とを具備した炭化珪素半導体装置の製造方法において、
前記炭化珪素半導体基板上にマスク材を堆積する第1の工程と、
前記第1の工程で堆積されたマスク材をパターニングする第2の工程と、
前記第2の工程でパターニングされたマスク材を介して前記炭化珪素半導体基板中に不純物をイオン注入して、前記低濃度ベース領域ならびに前記高濃度ベース領域を形成する第3の工程とを備え、
前記第3の工程は、前記炭化珪素半導体基板の法線を軸として前記炭化珪素半導体基板を回転させながら、前記炭化珪素半導体基板の法線方向に対して傾斜させて不純物をイオン注入する
ことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L29/78 658A
, H01L29/78 652S
, H01L29/78 652T
