特許
J-GLOBAL ID:200903092348724514

多層レジスト及びそれを用いたレジストパターンの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 森 哲也 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-227266
公開番号(公開出願番号):特開平5-067566
出願日: 1991年09月06日
公開日(公表日): 1993年03月19日
要約:
【要約】【目的】X線リソグラフィーの優れたパターン転写能力を十分に生すことが可能な多層レジスト、及び、位置精度、重ね合わせ精度を向上した、高精度なレジストパターンの製造方法を提供する。【構成】支持体1上にX線フォトレジスト層2、X線吸収体を含有したフォトレジスト層3からなる多層レジスト層4を形成し、これを選択的に露光した後、現像し、次に、X線露光を行った後、現像する。
請求項(抜粋):
X線フォトレジスト層上に、X線吸収体を含有したフォトレジスト層を設けたことを特徴とする多層レジスト。
IPC (3件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/26 511
FI (2件):
H01L 21/30 361 S ,  H01L 21/30 331 E

前のページに戻る