特許

J-GLOBAL ID：200903092355724090

半導体不揮発性記憶装置とその書き込み方法

発明者： 土屋 達男
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-353165
公開番号（公開出願番号）：特開平5-167044
出願日： 1991年12月18日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【構成】 半導体不揮発性記憶装置のメモリイアレイを、ドレインとMONOS型の不揮発性記憶素子とMIS素子とソースとを順次配列してなる第1のメモリセル10と、ソースとMONOS型の不揮発性記憶素子とMIS素子とドレインとを順次配列してなる第2のメモリセル14とを、ビット線の方向に交互に配列して構成する半導体不揮発性記憶装置およびその書き込み方法。【効果】 半導体不揮発性記憶装置におけるソース領域の面積を減少することが可能となり、集積度を増大することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面領域に、ドレインとMONOS型の不揮発性記憶素子とMIS素子とソースとを順次配列してなる第1のメモリセルと、ソースとMONOS型の不揮発性記憶素子とMIS素子とドレインとを順次配列してなる第2のメモリセルとを、ビット線方向に交互に配列してなり、前記ドレインをビット線に接続し、前記ソースをソース線に接続し、すべての前記メモリセルの該ソース線を接続してなることを特徴とする半導体不揮発性記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/115 ,  G11C 16/02 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 434 ,  G11C 17/00 307 B ,  H01L 29/78 371