特許

J-GLOBAL ID：200903092359574743

セラミック回路基板の製造方法

発明者： 角野 裕康 ,  堀口 昭宏 ,  大石 克嘉 ,  加曽利 光男 ,  上野 文雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-202732
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036521
出願日： 1995年07月18日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】 同時焼成により高い熱伝導率を有するAlN絶縁層および断線、剥離等のない緻密で低抵抗の導体層を形成できると共に、前記絶縁層と導体層とを反り、うねりを生じることなく強固に密着することが可能で、さらにヘリウムリーク特性も改善されたセラミック回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】 AlN粉末および焼結助剤を含む混合粉体から成形体を作製する工程と、前記成形体の少なくとも表面にW粉末および/またはMo粉末とフィラーとしての平均粒径0.1μm未満のAlN粉末を含む導体ペーストをパターン状に塗布して導体ペースト層を形成する工程と、前記導体ペーストを有する成形体を1700°C以下の温度で焼成する工程とを具備したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

窒化アルミニウム粉末および焼結助剤を含む混合粉体から成形体を作製する工程と、前記成形体の少なくとも表面にタングステン粉末および/またはモリブデン粉末とフィラーとしての平均粒径0.1μm未満の窒化アルミニウム粉末を含む導体ペーストをパターン状に塗布して導体ペースト層を形成する工程と、前記導体ペーストを有する成形体を1700°C以下の温度で焼成することにより窒化アルミニウムを主成分とする絶縁層にタングステンおよび/またはモリブデンを主成分とするパターン状の導体層を形成する工程とを具備したことを特徴とするセラミック回路基板の製造方法。

IPC (3件)：

H05K 3/12 ,  C04B 41/88 ,  H05K 1/09

FI (3件)：

H05K 3/12 B ,  C04B 41/88 Q ,  H05K 1/09 B