特許

J-GLOBAL ID：200903092368666120

芳香族炭酸ジエステルの製造方法

発明者： 兼子 博章 ,  船越 渉 ,  佐々木 勝司
出願人/特許権者： 帝人株式会社
代理人 (1件)： 前田 純博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-035967
公開番号（公開出願番号）：特開平11-228503
出願日： 1998年02月18日
公開日（公表日）： 1999年08月24日
要約：

【要約】【課題】下記式(3)(式中Zは水素原子または炭素数1から4のアルキル基、-COOCH3、および-COOC2H5からなる群より選ばれる少なくとも一種である。)で表される芳香族炭酸ジエステルを製造する方法において目的とする芳香族炭酸ジエステルを転化率、および選択率よく生産する。【解決手段】原料である下記式(1)(式中Xはメチル基またはエチル基である。)で表されるサリチル酸エステル誘導体と、下記式(2)(式中Yは水素原子または炭素数1から4のアルキル基である。)で表される芳香族炭酸ジエステルに含まれる塩素量をそれぞれ1000ppm以下とする。

請求項（抜粋）：

下記式(1)【化1】(式中Xはメチル基またはエチル基である。)で表されるサリチル酸エステル誘導体と、下記式(2)【化2】(式中Yは水素原子、炭素数1から4のアルキル基である。)で表される芳香族炭酸ジエステルとを触媒の存在下、エステル交換することにより下記式(3)【化3】(式中Zは水素原子または炭素数1から4のアルキル基、-COOCH3、および-COOC2H5からなる群より選ばれる少なくとも一種である。)で表される芳香族炭酸ジエステルを製造する方法において、上記式(1)で表されるサリチル酸エステル誘導体と上記式(2)で表される芳香族炭酸ジエステルに含まれる塩素量が該サリチル酸エステル誘導体と該芳香族炭酸ジエステルそれぞれの1000ppm以下であることを特徴とする芳香族炭酸ジエステルの製造方法。

IPC (7件)：

C07C 69/96 ,  B01J 23/10 ,  B01J 27/232 ,  B01J 31/02 102 ,  B01J 31/12 ,  C07C 68/06 ,  C07B 61/00 300

FI (7件)：

C07C 69/96 Z ,  B01J 23/10 X ,  B01J 27/232 X ,  B01J 31/02 102 X ,  B01J 31/12 X ,  C07C 68/06 Z ,  C07B 61/00 300