特許
J-GLOBAL ID：200903092374507246
アライメント・マークの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-035947
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232207
出願日： 1996年02月23日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 アライメント・マークの形成方法に関し、アライメント・マークを占有面積上から見て効率良く配置し、且つ、アライメント精度を向上させようとする。【解決手段】 ウエハ11に下側配線を形成する第一層目配線材料層を利用して第一層目配線及びアライメント・マーク13Mを同時に形成し、全面に第二層目絶縁膜14を形成してから平坦化し、第二層目絶縁膜14上に第二層目配線材料層を利用して第二層目配線及びアライメント・マーク15M及びアライメント・マーク13Mを覆うアライメント・マーク被覆膜15Cを同時に形成し、全面に第三層目絶縁膜16を形成し、第三層目絶縁膜16を利用してアライメント・マーク被覆膜15C上にアライメント・マーク16Mを形成する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハ上に下側配線を形成する金属系配線材料層を利用して該下側配線及び下側アライメント・マークを同時に形成する工程と、次いで、該下側配線及び下側アライメント・マークを含む全面に下側層間絶縁膜を形成してから該下側層間絶縁膜を平坦化する工程と、次いで、該平坦化された下側層間絶縁膜上に上側配線を形成する金属系配線材料層を利用して該上側配線及び上側アライメント・マーク及び該下側アライメント・マークを覆うアライメント・マーク被覆膜を同時に形成する工程と、次いで、該上側配線及び上側アライメント・マーク及び該下側アライメント・マークを覆うアライメント・マーク被覆膜を含む全面に上側層間絶縁膜を形成する工程と、次いで、該上側層間絶縁膜を利用して該アライメント・マーク被覆膜上にアライメント・マークを形成する工程とが含まれてなることを特徴とするアライメント・マークの形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 M
, H01L 27/12 Z
