特許
J-GLOBAL ID：200903092376908477
半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-346068
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168448
出願日： 1999年12月06日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】この発明は、良好な劈開面を得ることが困難な基板構造であっても、良好な光出射構造を実現できる半導体レーザー装置を提供することを目的とする。【解決手段】 この発明は、サファイア基板1上に活性層8を含む各種の半導体層を形成して成る半導体レーザー装置において、基板上に活性層を含む各種の半導体層を形成して成る半導体レーザ装置において、レーザ光を出射させるための回折格子パターン8aを有する光結合部が活性層8に隣接して形成され、この光結合部に光ファイバ30のコア部21が密着され、光ファイバ20の端面からレーザー光を出射する。
請求項（抜粋）：
基板上に活性層を含む各種の半導体層を形成して成る半導体レーザ装置において、レーザ光を出射させるための回折格子パターンを有する光結合部が前記活性層に隣接して形成され、この光結合部に導波路が結合されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
Fターム (11件)：
5F073AA04
, 5F073AA64
, 5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073AB25
, 5F073AB28
, 5F073CA07
, 5F073CB04
, 5F073CB05
, 5F073FA07
