特許

J-GLOBAL ID：200903092382050166

半導体薄膜

発明者： 齊藤 公彦 ,  石黒 信行 ,  福田 伸
出願人/特許権者： 三井東圧化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-163574
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017728
出願日： 1995年06月29日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【構成】 微結晶性ゲルマニウムを含まない、シリコンおよびゲルマニウムから成る微結晶性半導体薄膜。【効果】 従来からの狭バンドギャップ材料である非晶質シリコン-ゲルマニウム合金半導体薄膜に比べ、長波長光吸収能力が極めて向上し、また初期欠陥量が低減しかつ光安定性についても極めて向上する。

請求項（抜粋）：

少なくともシリコンおよびゲルマニウムより構成される微結晶性半導体薄膜であり、微結晶性ゲルマニウムを実質的に含まない半導体薄膜。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 X