特許

J-GLOBAL ID：200903092388830791

ドライエッチング方法

発明者： 三橋 章男 ,  中山 一郎 ,  五ノ井 大介 ,  森 肇
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-202149
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053192
出願日： 1992年07月29日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】 チャージマップや損傷のない半導体デバイスを製造するためのドライエッチング方法を提供することを目的とする。【構成】 エッチング終了時に真空チャンバー1内の圧力を下げたうえでエッチング時の高周波電力も小さい電力を印加することによって半導体ウエハの帯電を除去する。

請求項（抜粋）：

一対の平行平板電極が設置された真空チャンバー内にエッチングガスを流し、電極間に高周波電力を印加して一方の電極上に配置されている半導体ウエハをエッチングするプラズマエッチングプロセスにおいて、エッチング終了時に真空チャンバー内の圧力を下げたうえで前述の高周波電力よりも小さな電力を印加することによって、半導体ウエハの帯電を除去する工程を備えたドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-102318
  
• 特開平2-288227
  
• 特開平3-243188