特許
J-GLOBAL ID：200903092396475283

接合型電界効果トランジスタ

発明者：
釜下 敦

釜下 敦 について


出願人/特許権者：
株式会社ニコン

株式会社ニコン について


代理人 (1件)： 大森 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-012364
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209174
出願日： 1997年01月27日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 接合型電界効果トランジスタにおいて、インパクトイオン化に対する耐圧を向上する。【解決手段】 高い不純物濃度CD のn型のドレイン領域及びソース領域に挟まれたn型のチャネル領域の上にp型のゲート領域が形成された接合型電界効果トランジスタにおいて、チャネル領域のドレイン領域との境界の点I付近における不純物濃度C1 を、チャネル領域のソース領域との境界の点J付近における不純物濃度C2 より濃くし、チャネル領域内で不純物濃度がドレイン側に向けてほぼ線形に増加するように設定する。ピンチオフ点がソース側に移動して、ドレイン領域との境界部での電界が小さくなる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の表面ゲート領域と、該表面ゲート領域を挟んで設けられた第2導電型のソース・ドレイン領域と、前記表面ゲート領域の下部に設けられると共に前記ソース・ドレイン領域と接続された第2導電型のチャネル領域と、該チャネル領域の下部に設けられると共に前記表面ゲート領域と電気的に接続された第1導電型のバックゲート領域と、を有する接合型電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル領域はドレイン側の不純物濃度がソース側の不純物濃度より濃いことを特徴とする接合型電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/337 ,  H01L 29/808
引用特許：
審査官引用 (4件)
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