ガラスセラミックス基板の電極及びその形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井内龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-026704
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223716
出願日： 1996年02月14日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】還元力の低いジメチルアミノボランや水素化ホウ素ナトリウム等を還元剤として含む中性のNi-Bメッキ液を使用して、ガラスセラミックス基板の端子部にNiメッキ膜を形成すると、メッキ膜の形成速度が非常に遅くなり、必要な厚みのNiメッキ膜を形成するのに時間を要するという課題があった。【解決手段】ガラスセラミックス基板の端子部をNi-Pメッキ液に浸漬してNi-Pメッキ膜を形成し、次にNi-Pメッキ膜が形成された端子部をNi-Bメッキ液に浸漬してNi-Bメッキ膜を形成する。このメッキ処理により、ガラスセラミックス基板の端子部に、短時間で、半田成分(Sn)の拡散防止膜として十分な厚みを有し、半田濡れ性の良好なNiメッキ膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

外部電極端子に接続されるガラスセラミックス基板の電極において、ガラスセラミックス基板の端子部の上にNi-Pメッキ膜が形成され、さらに該Ni-Pメッキ膜の上にNi-Bメッキ膜が形成されていることを特徴とするガラスセラミックス基板の電極。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 , H01L 23/12 , H01L 23/15

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 23/12 F , H01L 23/14 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-165590
配線基板の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-053966 出願人：株式会社日立製作所
特開昭61-104085

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