特許

J-GLOBAL ID：200903092401660744

半導体装置及びその製造方法

発明者： 松井 正樹 ,  氷見 啓明 ,  西沢 俊明 ,  藤野 誠二
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-212262
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055586
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 高い導電性を持つ接合界面を有する半導体装置を提供することにある。【構成】 縦型パワーMOSトランジスタにおいて、第1の単結晶シリコン基板1と第2の単結晶シリコン基板4が接合されて接合基板9が形成され、この接合基板9での両単結晶シリコン基板1,4の接合界面にシリサイド層8が形成されている。そして、この接合界面が電流通路となる。

請求項（抜粋）：

2つのシリコン結晶体を接合した接合基板を用い、前記両シリコン結晶体の接合界面が電流通路となる半導体装置において、前記両シリコン結晶体の接合界面にシリサイド層又は金属層を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (3件)：

H01L 29/78 321 F ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/78 321 J