特許
J-GLOBAL ID：200903092408006497
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-308253
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162004
出願日： 1993年12月08日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 レーザアニール法を用いたスタガード構造薄膜トランジスタの均一性の改善【構成】 スタガード構造薄膜トランジスタの製造方法において、レーザアニール時にキャップ膜を平坦化させることによって、ソース・ドレイン部とチャネル部のキャップ膜厚を自己整合形に変化させ、実効的レー強度を変化させる。この結果ソース・ドレイン部、チャネル部の両者とも最適条件でレーザアニールが可能になり、トランジスタ全域にわたって均一な結晶化膜が得られる。
請求項（抜粋）：
スタガード型薄膜トランジスタの製造方法において、基板上にソース・ドレイン電極となる第1の半導体層を島状に形成する工程と、前記第1の半導体層を覆うように第2の半導体層を形成する工程と、該第2の半導体層上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1絶縁膜を平坦化する工程と、前記第1の絶縁膜を介して紫外レーザ光を照射することにより第1及び第2の半導体層をアニールする工程と、ゲート電極層を形成する工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/268
