特許
J-GLOBAL ID：200903092411057973
トンネル磁気抵抗効果素子およびその製造方法ならびに製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-114243
公開番号（公開出願番号）：特開2005-302876
出願日： 2004年04月08日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】 基板上に、下部電極層、ピンド層、トンネルバリア層、フリー層、上部電極層を順次成膜してなるトンネル磁気抵抗効果素子において、極力小さい膜厚で良好な被覆性を確保できるトンネルバリア層を実現する。【解決手段】 基板10上に、下部電極層20、ピンド層30、トンネルバリア層40、フリー層50、上部電極層60が順次積層されてなるトンネル磁気抵抗効果素子1において、トンネルバリア層40は、原子層成長法により成膜されたアルミナなどからなり、膜厚を薄いものとしても、下地のピンド層30の表面に存在する凹凸の被覆性を高め、トンネルバリア層40の膜厚ばらつきを小さくできる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ピンド層(30)、トンネルバリア層(40)、フリー層(50)が順次積層されてなるトンネル磁気抵抗効果素子において、
前記トンネルバリア層(40)は、実質的に化学量論組成となる薄膜が膜形成時に堆積されてなるものであることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
IPC (6件)：
H01L43/08
, G01R33/09
, G11B5/39
, H01L27/105
, H01L43/10
, H01L43/12
H01L43/08 Z
, G11B5/39
, H01L43/10
, H01L43/12
, G01R33/06 R
, H01L27/10 447
2G017AD55
, 2G017AD65
, 5D034BA05
, 5D034DA07
, 5F083FZ10
, 5F083GA27
, 5F083JA02
, 5F083PR21
出願人引用 (1件)
審査官引用 (11件)
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