特許
J-GLOBAL ID:200903092411139090

マイクロ波集積回路装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 早瀬 憲一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-089959
公開番号(公開出願番号):特開平5-175758
出願日: 1992年03月13日
公開日(公表日): 1993年07月13日
要約:
【要約】【目的】 デュアルゲートFET5を用いたマイクロ波集積回路において、同一の整合回路を用いて、インピーダンスの変動を補償する、また複数の整合点を見出す、さらには周波数変換器と周波数増幅器を実現する。【構成】 デュアルゲートFET12のゲート入力と入力側整合回路20との間に位相制御回路14を装荷して、通過位相を制御するとともに、デュアルゲートFET12の第2ゲート端子に高周波と直流バイアスとを切り換える切換スイッチ16を設ける。
請求項(抜粋):
半導体基板上にストリップ線路で構成される主線路,ショートスタブまたはオープンスタブを有し、インピーダンスの変換を行う整合回路を備えたマイクロ波集積回路装置において、上記主線路上に並列して負荷される線路及びダイオードよりなる直列回路、及び上記ダイオードのアノード電極にバイアスを印加して上記主線路の通過位相を制御するバイアス端子とから構成された位相制御手段を備えたことを特徴とするマイクロ波集積回路装置。
IPC (2件):
H03F 3/60 ,  H03F 1/56

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