特許

J-GLOBAL ID：200903092412731791

ダイヤモンド単結晶基材及びその製造方法

発明者： 大島 秀夫 ,  松木 竜一
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  青山 正和 ,  江口 昭彦 ,  杉浦 秀幸 ,  村山 靖彦 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-065124
公開番号（公開出願番号）：特開2004-292172
出願日： 2003年03月11日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】例えばダイヤモンド単結晶を気相から合成してエピタキシャル成長させていくときに、欠陥や異常成長が生じるのを抑制する。【解決手段】表面に、ダイヤモンド単結晶が気相から合成されてエピタキシャル成長させられていくダイヤモンド単結晶基材において、表面に存在している少なくとも200nm以下の周期を有する凹凸のP-Vを4nm以下に設定する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

表面に存在している少なくとも200nm以下の周期を有する凹凸のP-Vが4nm以下に設定されていることを特徴とするダイヤモンド単結晶基材。

IPC (2件)：

C30B29/04 ,  C23C16/27

FI (3件)：

C30B29/04 Q ,  C30B29/04 E ,  C23C16/27

Fターム (18件)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077ED04 ,  4G077EE01 ,  4G077HA14 ,  4G077HA20 ,  4G077TA04 ,  4G077TB07 ,  4G077TK04 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030CA01 ,  4K030DA02 ,  4K030FA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ダイヤモンドの気相成長法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-254376   出願人：住友電気工業株式会社
• 気相合成ダイヤモンド薄膜の表面研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-314925   出願人：三菱マテリアル株式会社