特許

J-GLOBAL ID：200903092420259210

電気光学装置、電子機器および半導体装置

発明者： 北川 篤史
出願人/特許権者： エプソンイメージングデバイス株式会社
代理人 (2件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-076309
公開番号（公開出願番号）：特開2007-251100
出願日： 2006年03月20日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】基板上で電気素子を新たな形態でレイアウトすることにより、電気素子の形成密度を向上可能な電気光学装置、この電気光学装置を備えた電子機器、および半導体装置を提供すること。【解決手段】電気光学装置において、素子基板10の異なる層間に形成された第1の半導体膜51b、および第2の半導体膜52bを利用して、互いに重なる領域に第1のTFT2xおよび第2のTFT2yを構成し、これらを電気的に接続することにより、CMOS回路を構成する。このため、TFT、1つ分が占める面積を狭めることなく、TFTの形成密度を2倍まで高めることができる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

第1の基板に電気光学物質が保持され、当該電気光学物質を備えた画素が複数、形成された電気光学装置において、 前記第1の基板には、下層側から上層側に向かって、少なくとも、第1の半導体膜、複数の絶縁膜、および第2の半導体膜がこの順に積層されており、 前記第1の半導体膜は、前記複数の絶縁膜の層間あるいは下層側に形成された1乃至複数の第1の電極とともに第1の電気素子を構成し、 前記第2の半導体膜は、前記複数の絶縁膜の層間あるいは上層側に形成された1乃至複数の第2の電極とともに前記第1の電気素子と重なる領域で第2の電気素子を構成していることを特徴とする電気光学装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/30 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/78 612B ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 338 ,  H01L29/78 612D

Fターム (68件)：

2H092GA29 ,  2H092JA24 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA46 ,  2H092JB56 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092KB13 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA30 ,  2H092NA07 ,  2H092PA03 ,  2H092PA04 ,  5C094AA05 ,  5C094AA15 ,  5C094AA60 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094DB04 ,  5F110AA04 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB06 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG29 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73 ,  5F110NN77 ,  5F110NN78 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ21

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 国際公開第97/13177号パンフレット