特許
J-GLOBAL ID:200903092423172018

半導体素子冷却用ヒートシンク

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉原 省三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-186689
公開番号(公開出願番号):特開平9-017920
出願日: 1995年06月30日
公開日(公表日): 1997年01月17日
要約:
【要約】【目的】 ヒートシンク本体の形状をなんら大きくすることなく放熱特性を向上させる。【構成】 ヒートシンク本体1内に中空部2を形成させるとともに、該中空部に、半導体素子の発熱によって気化する液体5を封入した。
請求項(抜粋):
ヒートシンク本体内に中空部を形成させるとともに、該中空部に、半導体素子の発熱によって気化する液体を封入したことを特徴とする半導体素子冷却用ヒートシンク。
IPC (2件):
H01L 23/36 ,  H01L 23/42
FI (2件):
H01L 23/36 Z ,  H01L 23/42
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭63-182844
  • 特開昭64-017457

前のページに戻る