特許
J-GLOBAL ID：200903092426686926
高耐圧半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-346414
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196550
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】耐圧向上と集積度向上の両立が可能な高耐圧半導体装置を提供する。【構成】埋め込みコレクタ領域3とコレクタ耐圧領域4とのPN接合は逆バイアスされ、その空乏層は半導体耐圧領域4の側面を誘電体分離する側面分離絶縁物領域9に達する。側面分離絶縁物領域9を挟んでコレクタ耐圧領域4に隣接するポリシリコン領域8は埋め込みコレクタ領域3よりベ-ス領域5に近い電位をもつ。その結果、ベ-ス領域5の側面と側面分離絶縁物領域9との間のコレクタ耐圧領域4内の空乏層は、ベ-ス領域5とポリシリコン領域8の両側から低電位の影響を受け、これによりベ-ス領域5の側面と底面との間のコーナー(角)部近傍における電界集中が緩和され、この部分でのアバランシェ降伏が抑止され、耐圧が向上する。
請求項（抜粋）：
半導体基板から絶縁分離された高濃度第1導電型の埋め込み半導体領域と、前記埋め込み半導体領域の上部に形成された低濃度第1導電型の半導体耐圧領域と、前記各半導体耐圧領域の側壁を絶縁分離して前記各半導体耐圧領域を互いに電気絶縁する側面分離絶縁物領域と、前記半導体耐圧領域の表面部に前記側面分離絶縁物領域から離れて形成されるとともに直下の前記埋め込み半導体領域に対し逆バイアス電圧が印加される第2導電型の表面半導体領域と、前記半導体耐圧領域に前記側面分離絶縁物領域を挟んで隣接する隣接半導体領域とを備える高耐圧半導体装置において、前記埋め込み半導体領域と前記表面半導体領域との間の接合空乏層が前記側面分離絶縁物領域に達する電圧が前記埋め込み半導体領域と前記表面半導体領域との間に印加され、かつ、前記隣接半導体領域は前記埋め込み半導体領域よりも前記表面半導体領域に近い電位を有することを特徴とする高耐圧半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/76
, H01L 21/331
, H01L 29/73
