特許

J-GLOBAL ID：200903092430110745

不飽和単量体の重合方法

発明者： 安田 源 ,  井原 栄治 ,  浅沼 正
出願人/特許権者： 三井東圧化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-205694
公開番号（公開出願番号）：特開平10-045818
出願日： 1996年08月05日
公開日（公表日）： 1998年02月17日
要約：

【要約】【課題】ランタナイド系触媒の、触媒あたりの活性が充分でないとか、得られる重合体の分子量が充分に高くないなどの問題を解決し、ランタナイド系触媒を用いて効率よく不飽和単量体を重合する方法を提供する。【解決手段】下記一般式(式中、R1 は水素、炭化水素残基、置換シリル基から選ばれる同じか異なる基、nは0〜4、R2 は炭化水素残基、置換シリル基から選ばれる基、R3 は水素、炭化水素残基、置換シリル基から選ばれる同じか異なる基、pは1又は2、Aは2つの配位子を連結する基でありC、Si、Geで連結した構造である、MはY、Sm、La、Xは酸素、窒素または燐原子を有する電子供与性配位子、mは0〜2。)で表されるランタナイド系錯体と不飽和単量体を接触して不飽和単量体を重合する。

請求項（抜粋）：

下記一般式(化1)(式中、R1 は水素、炭化水素残基、置換シリル基から選ばれる同じか異なる基、nは0〜4、R2 は炭化水素残基、置換シリル基から選ばれる基、R3 は水素、炭化水素残基、置換シリル基から選ばれる同じか異なる基でありこれらの基は相互に連結していても良い、pは1又は2、Aは2つの配位子を連結する基でありC、Si、Geで連結した構造である、MはY、Sm、Laから選ばれる金属、Xは酸素、窒素または燐原子を有する電子供与性配位子、mは0〜2。)で表されるランタナイド系錯体と不飽和単量体を接触することを特徴とする不飽和単量体の重合方法。【化1】