半田付け用端子の製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：西川惠清 , 森厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-114759
公開番号（公開出願番号）：特開2004-315941
出願日： 2003年04月18日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】半田付け用端子の全面に金めっきを施しながら、半田が半田付け部から非半田付け部へと這い上がることを防ぐことができる半田付け用端子の製造方法を提供する。【解決手段】半田付けする半田付け部2と半田付けしない非半田付け部3とを設けて形成され、下地めっき9であるニッケルめっき7の表面に金めっき8を施した半田付け用端子1に関する。半田付け部2と非半田付け部3との間の部分に電磁波Lを照射する。これにより、上記部分の半田濡れ性が低下することによって、半田が半田付け部2から非半田付け部3へと這い上がることを防ぐことができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半田付けする半田付け部と半田付けしない非半田付け部とを設けて形成され、下地めっきであるニッケルめっきの表面に金めっきを施した半田付け用端子を製造するにあたって、半田付け部と非半田付け部との間の部分に電磁波を照射することを特徴とする半田付け用端子の製造方法。

IPC (5件)：

C23F4/00 , C23F1/02 , C23F4/02 , H01R13/03 , H01R43/16

FI (5件)：

C23F4/00 A , C23F1/02 , C23F4/02 , H01R13/03 D , H01R43/16

Fターム (11件)：

4K057DA20 , 4K057DB01 , 4K057DB17 , 4K057DD10 , 4K057DG01 , 4K057DG15 , 4K057DN01 , 5E063GA03 , 5E063GA08 , 5E063GA09 , 5E063XA01

引用特許：

審査官引用 (7件)

電子部品およびその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-129373 出願人：日本航空電子工業株式会社
フィルムキャリアおよびこれを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-146327 出願人：日東電工株式会社
特許第2947824号

全件表示

前のページに戻る