特許
J-GLOBAL ID：200903092437507217
スパッタリング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
塩野入 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-300150
公開番号（公開出願番号）：特開平6-145973
出願日： 1992年11月10日
公開日（公表日）： 1994年05月27日
要約：
【要約】【目的】 スパッタリング装置において、アーク放電による影響を減少させることによって良質な膜質の成膜を行うとともに、高速の成膜を可能とする。【構成】 真空チャンバ1にターゲット4を有するターゲット電極5と、ターゲット4を一成分とする膜が堆積される基板3と、ターゲット電極5へ高周波電力を投入するための高周波電力部10と、ターゲット電極5に並列接続されるインダクタ21とコンデンサ22の直列回路とによってスパッタリング装置を構成し、ターゲット4の表面でアーク放電が発生した場合にターゲット4に印加されているバイアス電圧を負から0または正へ変化させる。
請求項（抜粋）：
(a)真空チャンバにターゲットを有するターゲット電極と、(b)前記ターゲットを一成分とする膜を堆積する基板と、(c)前記ターゲット電極へ高周波電力を投入するための高周波電源部と、(d)前記ターゲット電極に並列接続されるインダクタとコンデンサの直列回路とからなり、(e)前記ターゲットの表面でのアーク放電の発生によって、前記ターゲットに印加されるバイアス電圧を変化させることを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (2件)：
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