特許
J-GLOBAL ID：200903092439756036
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-149359
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135136
出願日： 1993年06月21日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：
【要約】【目的】 露光済のレジスト膜の現像方法に関し、高アスペクト比のレジストパターンを形成する際にパターンの蛇行や傾きが発生しないようにする現像方法を提供することを目的とする。【構成】 ウェーハ上に形成された露光済のフォトレジスト膜に、ウェーハを200〜500rpmの回転速度で回転させながら薬液を滴下して現像または現像とリンスとをなし、薬液の滴下を停止した後、引き続きウェーハを3000rpm〜6000rpmの回転速度で回転させてウェーハ上から薬液を飛散させて乾燥する工程を複数回繰り返し実行する。
請求項（抜粋）：
ウェーハ上に形成された露光済のフォトレジスト膜に、前記ウェーハを200〜500rpmの回転速度で回転させながら薬液を滴下して現像または現像とリンスとをなし、該薬液の滴下を停止した後、引き続き前記ウェーハを3000rpm〜6000rpmの回転速度で回転させて前記ウェーハ上から薬液を飛散させて乾燥する工程を複数回繰り返し実行する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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