特許
J-GLOBAL ID：200903092440041946
量子井戸結晶体および半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-114529
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298338
出願日： 1996年05月09日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：
【要約】【課題】 2.0μmの波長で発振する半導体レーザを提供する。【解決手段】 InP基板1上に、InPクラッド層1aを形成し、さらにこの上に成長した7層のInGaAs歪量子井戸層4およびInGaAs障壁層5、さらにInPクラッド層7を形成している。井戸層の組成波長λgは2.2μmであり、障壁層は、InPクラッド層、InP基板に格子整合しており、組成波長λg=1.67μmである。井戸層には 歪量1.3%の圧縮歪みが導入され、障壁層には歪みは導入されていない。この量子井戸結晶体からのフォトルミネッセンス発光波長は、2.0μmであった。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に成長したInGaAs井戸層とInGaAs障壁層よりなる量子井戸活性層と、前記活性層上に形成したInPクラッド層とを備え、前記井戸層に導入した格子歪量が0.4%以上2.0%以下で、前記障壁層がInPに格子整合したInGaAs混晶で構成されており、井戸層の数が4層以上である量子井戸結晶体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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