特許
J-GLOBAL ID:200903092440254753
熱電変換用半導体材料およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
杉村 暁秀 (外8名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-058844
公開番号(公開出願番号):特開2000-261047
出願日: 1999年03月05日
公開日(公表日): 2000年09月22日
要約:
【要約】【課題】 安価で、取扱が容易で、生産性の高い添加材を、CoSb3 を主成分とする熱電変換用半導体材料に分散させて、移動度の低下を抑えながら熱伝導率を低下させて性能指数の改善を図った熱電変換モジュール用の熱電変換用半導体材料を汎用的な焼成プロセスを用いて容易かつ効率良く製造する。【解決手段】 化学組成がCoSbx (2.7<x <3.4)で表される主成分に、サブミクロンから数百ミクロンの粒径を有するセラミックス粉末を、CoSbx に対して、0.01wt% 〜20wt% の調合比で混合した粉末を所望の形状に成形し、水素のような還元性雰囲気または窒素のような非酸化性雰囲気中で焼成して熱電変換用半導体材料を得る。
請求項(抜粋):
熱電変換モジュールに使用されるP型またはN型の熱電変換用半導体材料において、化学組成がCoSbx (2.7<x <3.4)で表される主成分に、分散材としてセラミックス粉末を分散させたことを特徴とする熱電変換用半導体材料。
IPC (3件):
H01L 35/18
, H01L 35/26
, H01L 35/34
FI (3件):
H01L 35/18
, H01L 35/26
, H01L 35/34
引用特許: