特許

J-GLOBAL ID：200903092440528055

GaN系半導体基材およびその製造方法

発明者： 岡川 広明 ,  只友 一行 ,  大内 洋一郎 ,  常川 高志
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-057909
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261027
出願日： 2001年03月02日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】 転位密度が低減されたGaN系半導体基材の構造およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 第一番目のGaN系結晶層1の上面1aにエッチピットPを形成し、該エッチピットが、空洞状態および/またはGaN系結晶にて充填された状態となるように、該上面1aに第二番目のGaN系結晶層2を成長させる。これによって、転位線の伝搬は、エッチピットによって制御され、上層の低転位化が可能となる。

請求項（抜粋）：

第一番目のGaN系結晶層上に第二番目のGaN系結晶層が成長してなる積層構造を有するGaN系半導体基材であって、第一番目のGaN系結晶層の上面は、エッチピットが形成されたものであり、第二番目のGaN系結晶層が成長することによって、前記エッチピットが、空洞状態および/またはGaN系結晶にて充填された状態となっていることを特徴とするGaN系半導体基材。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/306 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/302 P ,  H01L 21/306 B

Fターム (31件)：

4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F004AA16 ,  5F004DB19 ,  5F004FA08 ,  5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F043AA05 ,  5F043BB06 ,  5F043DD02 ,  5F043GG10 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045HA03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 結晶膜、結晶基板および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-010708   出願人：ソニー株式会社
• 結晶膜、結晶基板および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-010709   出願人：ソニー株式会社