特許

J-GLOBAL ID：200903092444206443

半導体レーザ素子

発明者： 奥村 敏之 ,  好本 芳和
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-175778
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046281
出願日： 1994年07月27日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 横モードが安定で無効電流が少なく、動作電圧が低い、内部ストライプ構造を有する半導体レーザ素子を提供する。【構成】 p型GaAs基板1の(100)面に少なくとも(111)面を有するストライプ状溝2が形成され、この状態の基板上にNドープZnyMg1-ySzSe1-z(0≦y≦1、0≦z≦1)層が積層されている。更に、その上にII-VI族化合物半導体からなるp型クラッド層5、活性層7およびn型クラッド層9が形成されている。

請求項（抜粋）：

(100)面を表面に有するp型GaAs基板の該表面側に少なくとも(111)面を有するストライプ状溝が形成され、この状態の基板上にNドープZnyMg1-ySzSe1-z(0≦y≦1、0≦z≦1)層が積層され、更に該NドープZnyMg1-ySzSe1-z層の上にII-VI族化合物半導体からなるp型クラッド層、活性層およびn型クラッド層が形成されている半導体レーザ素子。