特許
J-GLOBAL ID：200903092449246990

電歪材料およびその製造方法

発明者：
徐 超男

徐 超男 について

, 
劉 芸

劉 芸 について

, 
立山 博

立山 博 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-398328
公開番号（公開出願番号）：特開2002-201068
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年07月16日
要約：
【要約】【課題】 印加電界に対する歪みが大きく、かつ非鉛系材料で、温度依存性やヒステリシスの小さい、斬新な電歪材料とその製造方法を提供する。【解決手段】 Sr,Ba,Mg,Ca,Zn,Cdの群、および、Al,Ga,Siの群からそれぞれ1種類以上の元素を選んで得た2種類以上の元素と酸素とで構成した化合物、若しくはMxAlyO(2x+3y)/2で表される化合物(但し、MはSr,Mg,Ca,Ba,Zn,Cdの群から選ばれた1種類以上の元素、x,yは1以上20以下の値をとる。)、または、それらに希土類或いは遷移金属の元素の1種類以上を0.001〜20mol%添加することにより構成する。
請求項（抜粋）：
Sr,Ba,Mg,Ca,Zn,Cdの群、および、Al,Ga,Siの群からそれぞれ1種類以上の元素を選んで得た2種類以上の元素と酸素とで構成した化合物を主成分とすることを特徴とする電歪材料。
IPC (6件)：
C04B 35/495 ,  C04B 35/10 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/193 ,  H01L 41/24 ,  H01L 41/26
FI (7件)：
C04B 35/00 J ,  C04B 35/10 Z ,  H01L 41/18 101 B ,  H01L 41/18 101 J ,  H01L 41/18 102 ,  H01L 41/22 A ,  H01L 41/22 C
Fターム (12件)：
4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA11 ,  4G030AA20 ,  4G030AA25 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA36 ,  4G030AA40 ,  4G030BA10
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM