特許

J-GLOBAL ID：200903092451149927

炭化ケイ素発光ダイオード素子

発明者： 松下 保彦 ,  上谷 ▲高▼弘
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-233500
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338629
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】【目的】 高輝度化が可能なSiC発光ダイオード素子を提供することを目的とする。【構成】 n型SiC単結晶基板1と、n型SiC単結晶基板1上に形成された発光層としてのn型SiC層2と、n型SiC層2上に形成されたホール拡散距離以下の層厚を有するp-型SiC層3と、p-型SiC層3上に形成されたp+型SiC層4とから構成する。

請求項（抜粋）：

発光層としてのn型炭化ケイ素層と、該n型炭化ケイ素層上に設けられたホール拡散距離以下の層厚を有するp-型炭化ケイ素層と、該p-型炭化ケイ素層上に設けられたp+型炭化ケイ素層と、からなることを特徴とする炭化ケイ素発光ダイオード素子。