特許

J-GLOBAL ID：200903092451202682

半導体装置における絶縁層の形成方法

発明者： 橋本 毅
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-131318
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304219
出願日： 1992年04月27日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体基板上の第一配線3の層上に、絶縁層を形成し、第二配線10を形成する際に、第一のガラス塗布膜5をエッチバックしたときの水分の吸湿、デポ物の付着、膜剥がれなどの問題を解決する。【構成】 第一配線上の第一の絶縁膜4の除去を、第二の絶縁膜6のエッチバックと同時に行うような絶縁層の形成方法とした。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成される第一配線層の上に、層間絶縁層を形成し、その上に第二配線層を順次設ける半導体装置の製造方法において、上記層間絶縁層の形成工程が、(1)上記第一配線層により凹凸ができている半導体基板上に、第一の絶縁膜を形成し、その上に表面が平坦となるように第一のガラス塗布膜を形成する工程、(2)第一のガラス塗布膜の上に第二の絶縁膜を形成し、その上に表面が平坦となるように第二のガラス塗布膜を形成する工程、(3)全面エッチバックして、第一配線層上部の第二のガラス塗布膜、第二の絶縁膜、そして第一のガラス塗布膜の順に除去し、第一の絶縁膜のみを残す工程、(4)第三の絶縁膜を形成する工程、からなることを特徴とする半導体装置における絶縁層の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205