特許

J-GLOBAL ID：200903092452993942

電界放出型冷陰極の製造方法

発明者： 中村 裕之 ,  中本 正幸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-036535
公開番号（公開出願番号）：特開平6-251693
出願日： 1993年02月25日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 アスペクト比が高く、エミッタ形状の均一性、再現性に優れ、リソグラフィによって制限される尖鋭度よりもさらに尖鋭な電界放出型冷陰極を製造することのできる電界放出型冷陰極の製造方法を提供すること。【構成】 先端が尖鋭でアスペクト比の高い電界放出型冷陰極の製造方法において、面方位(100)のSi基板11上にSiO2 層12を形成し、フォトリソグラフィによりこのSiO2 層12を加工してエッチングマスク13を形成し、次いでSi基板11を水酸化テトラメチルアンモニウム溶液によってエッチングし、{112}面で囲まれた八角錐形状のエミッタ15を形成することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

面方位{100}のSi基板上にエッチングマスクを形成する工程と、前記基板を水酸化テトラアルキルアンモニウム溶液によってエッチングし錐型に加工する工程と、を含むことを特徴とする電界放出型冷陰極の製造方法。