特許

J-GLOBAL ID：200903092460295979

受発光ダイオード

発明者： 安孫子 一松 ,  中村 幸夫
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-210074
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066454
出願日： 1993年08月25日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】 受発光ダイオードの受光感度を高める。【構成】 この受発光ダイオードはn-GaAsP基板40と、基板40にZnを拡散して形成したp-GaAsP層42とを備える。p層42の層厚すなわちpn接合深さを0.3〜2μmとすることにより実用に適した受光感度を得る。これと共にp層42を層厚をほぼ一定として面状に形成することにより受光に寄与する領域を広くするので、目的を達成できる。p層42の層厚を薄くすると発光強度は低下する傾向があるが、Zn拡散濃度を5×1020〜1023cm-3とすることによりその低下量を抑え実用に適した発光強度を得ることができる。

請求項（抜粋）：

pn接合を形成するn-GaAsP第一半導体層及びp-GaAsP第二半導体層を備えて成る受発光ダイオードにおいて、前記第二半導体層の層厚を0.3〜2μmの範囲内のほぼ一定の層厚とし、前記第二半導体層の不純物濃度を5×1020〜1023cm-3としたことを特徴とする受発光ダイオード。

IPC (6件)：

H01L 33/00 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455 ,  H01L 31/10 ,  H01L 31/12

FI (2件)：

B41J 3/21 L ,  H01L 31/10 Z