特許
J-GLOBAL ID:200903092463564318
ダイヤモンド-炭化ケイ素複合焼結体の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
,
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-045245
公開番号(公開出願番号):特開2000-203955
出願日: 1999年01月16日
公開日(公表日): 2000年07月25日
要約:
【要約】【目的】 本発明の主な目的は、実質的にダイヤモンド粒子と炭化ケイ素(SiC)のみで構成される、高強度、特に抗折強度の大きい複合焼結体の製造方法を提供することにある。【構成】 本発明においては、かかる複合焼結体は次の方法により、効率的に調製される。すなわち、実質的にダイヤモンド粉末とケイ素粉末とから成る2元混合粉末を、高純度SiC製の容器に装填し、無酸素雰囲気中、1400°C以上の温度にて加圧工程に供することにより、含有されているケイ素の実質的に全量を炭化ケイ素に変換し、かつダイヤモンドと生成炭化ケイ素とを焼結して一体化するものである。
請求項(抜粋):
実質的にダイヤモンド粉末とケイ素粉末とから成る2元混合粉末を、高純度SiC製の容器に装填し、無酸素雰囲気中、1400°C以上の温度にて加圧工程に供することにより、含有されているケイ素の実質的に全量を炭化ケイ素に変換し、かつダイヤモンドと生成炭化ケイ素とを焼結して一体化することを特徴とする、ダイヤモンド・炭化ケイ素複合焼結体の製造方法。
IPC (4件):
C04B 35/80
, C04B 35/52
, C04B 35/573
, C04B 35/645
FI (4件):
C04B 35/80 Z
, C04B 35/52 B
, C04B 35/56 101 W
, C04B 35/64 N
Fターム (24件):
4G001BA23
, 4G001BA60
, 4G001BA62
, 4G001BB22
, 4G001BB23
, 4G001BB60
, 4G001BC13
, 4G001BC43
, 4G001BC46
, 4G001BC47
, 4G001BC55
, 4G001BC62
, 4G001BD12
, 4G001BD13
, 4G001BD14
, 4G001BD18
, 4G001BE03
, 4G032AA01
, 4G032AA33
, 4G032AA34
, 4G032BA02
, 4G032GA01
, 4G032GA14
, 4G032GA17
引用特許:
審査官引用 (5件)
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特開昭51-073512
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特開昭49-089711
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熱的に安定で稠密な導電性ダイヤモンド成形体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-258766
出願人:ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
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特公平3-500765
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特公昭62-500012
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