特許
J-GLOBAL ID：200903092464355755
干渉効果半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-156640
公開番号（公開出願番号）：特開平5-007005
出願日： 1991年06月27日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、ポイントコンタクトから出射されるキャリア波を反射させ、この反射キャリア波と入射キャリア波との間の干渉効果を用いる干渉効果半導体装置に関し、大きな相互コンダクタンスを得ることを目的とする。【構成】 半導体層14に形成されたキャリアを注入するソース領域16と、その後段に形成され、通過するキャリアを量子化するポイントコンタクト20、21を作るスプリットゲート電極18、19と、その後段に形成され、キャリアを収集する単数または複数のドレイン領域23、24と、その後段に形成され、ポイントコンタクト20、21から出射されるキャリア波を反射する機構26、27によって構成した。また、上記の装置において、2個あるいはそれ以上のポイントコンタクトを配置した複数ポイントコンタクトを用いて構成した。
請求項（抜粋）：
半導体層に形成されたキャリアを注入するソース領域と、該半導体層の該ソース領域の後段に形成され、通過するキャリアを量子化するポイントコンタクトを作るスプリットゲート電極と、該半導体層の該スプリットゲート電極の後段に形成され、キャリアを収集する単数または複数のドレイン領域と、該半導体層の該ドレイン領域の後段に形成され、該ポイントコンタクトから出射されるキャリア波を反射する機構を有することを特徴とする干渉効果半導体装置。
IPC (2件)：
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