特許

J-GLOBAL ID：200903092467351955

単結晶炭化珪素薄膜の製造方法および単結晶炭化珪素薄膜

発明者： 原 一都 ,  木藤 泰男 ,  花沢 龍行 ,  恩田 正一
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 求馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-027014
公開番号（公開出願番号）：特開2000-226299
出願日： 1999年02月04日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】 成膜時の内部応力による反りをなくし、平坦性の高い大面積の単結晶炭化珪素薄膜を得る。【解決手段】 シリコンウェハ1上にエピタキシャル成長により形成された単結晶炭化珪素薄膜2を、単結晶炭化珪素薄膜2を下向きとして、多結晶炭化珪素板3とポーラスカーボン板4の間に挟み、シリコンの溶融温度以上で炭化珪素の昇華温度より低い温度、例えば1500°Cで加圧して、反りを緩和し、平坦化する。シリコンウェハ1は、この過程でポーラスカーボン板4に吸収除去され、多結晶炭化珪素板3と密着した状態で単結晶炭化珪素薄膜2が得られる。

請求項（抜粋）：

エピタキシャル成長により形成された単結晶炭化珪素薄膜を、炭化珪素の昇華温度より低い温度において加圧することにより、膜内部の応力による反りを緩和し、平坦化された単結晶炭化珪素薄膜を得ることを特徴とする単結晶炭化珪素薄膜の製造方法。

Fターム (7件)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB01 ,  4G077FE02 ,  4G077FE07 ,  4G077FE10 ,  4G077FE11