レーザビームステアリングによるEUV放射源の空間不安定性の補正 | 特許情報

放射源と、カソードと、アノードであって、前記カソードおよび前記アノードが、該アノードとカソードとの間の放電空間内の物質に放電を生成し、電磁放射を生成するようにプラズマを形成する、該アノードと、前記放電スペースに近接する所定材料の表面上の領域をエネルギビームで照射することにより放電を開始するトリガデバイスであって、入力信号に応じて前記領域の位置を制御する該トリガデバイスとを含む、放射システム。前記トリガデバイスは、前記エネルギビームを生成するエネルギビーム源と、前記領域に前記エネルギビームを反射するミラーと、前記入力信号に応じて前記ミラーを位置決めするアクチュエータとを含む、請求項1に記載の放射システム。前記エネルギビーム源は、レーザである、請求項2に記載の放射システム。液体を含む槽をさらに含み、前記アノードと前記カソードは、前記槽内で少なくとも部分的に湿るように回転するホイールである、請求項1に記載の放射システム。前記トリガデバイスは、アノードの一部を照射する、請求項1に記載の放射システム。前記トリガデバイスは、前記カソードの一部を照射する、請求項1に記載の放射システム。前記入力信号は汚染バリアの透過率を示す、請求項1に記載の放射システム。前記入力信号は、リソグラフィ装置における基板レベルでのテレセントリック値を示す、請求項1に記載の放射システム。前記入力信号は、リソグラフィ装置における放射ビームのスリット積分均一度を示す、請求項1に記載の放射システム。前記入力信号は、リソグラフィ装置内の汚染バリアの温度を示す、請求項1に記載の放射システム。前記入力信号は、リソグラフィ装置内に構成されたアパーチャに対する、前記リソグラフィ装置内の中間焦点の位置を示す、請求項1に記載の放射システム。放射ビームを調整する照明システムと、パターニングデバイスを支持するサポートであって、前記パターニングデバイスが、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成する、該サポートと、基板を保持する基板テーブルと、前記基板のターゲット部分に前記パターン付きビームを投影する投影システムと、前記放射ビームを提供する放射システムとを含む、リソグラフィ装置であって、前記放射システムは、放射源と、カソードと、アノードであって、前記カソードおよび前記アノードが、該アノードとカソードとの間の放電空間内の物質に放電を生成し、電磁放射を生成するようにプラズマを形成する、該アノードと、前記放電スペースに近接する所定材料の表面上の領域をエネルギビームで照射することにより放電を開始するトリガデバイスであって、入力信号に応じて前記領域の位置を制御する該トリガデバイスとを含む、リソグラフィ装置。前記放射源からの放射を受ける汚染バリアと、前記汚染バリアの下段に構成され、かつ、前記トリガデバイス用の前記入力信号を形成するべく前記放射ビームのエネルギ値を測定するセンサとをさらに含む、請求項12に記載のリソグラフィ装置。前記照明システムは、前記放射ビームを中間焦点内に合焦させるように構成され、前記装置は、前記トリガデバイス用の前記入力信号を形成するべく、前記リソグラフィ装置内に構成されたアパーチャに対する前記中間焦点の位置を測定するセンサをさらに含む、請求項12に記載のリソグラフィ装置。前記トリガデバイス用の前記入力信号を形成するべく、前記基板テーブルにおけるスリット積分均一度を測定するセンサをさらに含む、請求項12に記載のリソグラフィ装置。前記放射源からの放射を受ける汚染バリアと、前記トリガデバイス用の入力信号を形成するべく、前記汚染バリアの一部の温度を測定する温度センサとをさらに含む、請求項12に記載のリソグラフィ装置。前記トリガデバイス用の入力信号を形成するべく、前記汚染バリアの第2部分の第2温度を測定する第2温度センサをさらに含む、請求項16に記載のリソグラフィ装置。前記基板テーブル上または前記基板テーブル付近に構成された照度センサをさらに含み、前記照度センサおよび前記基板テーブルは、前記投影システムのテレセントリック値を示す前記トリガデバイス用の入力信号を形成するべく、前記センサと前記投影システムとの間の複数の距離において放射強度を測定する、請求項12に記載のリソグラフィ装置。放射システムの光学部品に対して、放電放射源の放射軸を位置合わせする方法であって、アノードとカソードとの間の放電空間内の物質内に放電を生成し、電磁放射を生成するようにプラズマを形成すること、前記放電空間に近接する所定材料の表面上の領域をエネルギビームで照射することにより放電を誘発すること、および少なくとも1つの入力信号に応じて前記領域の位置を制御することを含む、方法。

放射源と、カソードと、アノードであって、前記カソードおよび前記アノードが、該アノードとカソードとの間の放電空間内の物質に放電を生成し、電磁放射を生成するようにプラズマを形成する、該アノードと、前記放電スペースに近接する所定材料の表面上の領域をエネルギビームで照射することにより放電を開始するトリガデバイスであって、入力信号に応じて前記領域の位置を制御する該トリガデバイスとを含む、放射システム。

H01L 21/027 , G03F 7/20 , H05G 2/00

H01L21/30 531S , H01L21/30 531A , G03F7/20 521 , H05G1/00 K

4C092AA06 , 4C092AA14 , 4C092AB30 , 4C092AC09 , 4C092BD04 , 4C092BD06 , 5F046DA01 , 5F046DB01 , 5F046DB02 , 5F046DB05 , 5F046DB10 , 5F046DB12 , 5F046DC01 , 5F046DC02 , 5F046DC12 , 5F046GA03 , 5F046GA14 , 5F046GB03 , 5F046GB09 , 5F046GC03

審査官引用 (5件)

レーザプラズマX線源
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-229605 出願人：株式会社島津製作所
ターゲット装置及びX線レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-159798 出願人：浜松ホトニクス株式会社
レーザープラズマX線源
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-191677 出願人：株式会社島津製作所, 学校法人東海大学

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